| GD210 高精密大板固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥300ms （具體取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求） 1~2.5mm芯片 8-12K/h 2.5~5mm芯片 6-10K/h | ||||||||
| 固晶位置精度 | 1~2.5mm芯片 ±10~15μm 2.5~5mm芯片 ±15~20μm | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 1*1—5*5mm | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:50-600mm w:220-510mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 2780（正面長）*1436(側面縱深)*1968.5(高度)mm | ||||||||
| GD210 高精密大板固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥300ms （具體取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求） 1~2.5mm芯片 8-12K/h 2.5~5mm芯片 6-10K/h | ||||||||
| 固晶位置精度 | 1~2.5mm芯片 ±10~15μm 2.5~5mm芯片 ±15~20μm | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 1*1—5*5mm | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L:50-600mm w:220-510mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 2780（正面長）*1436(側面縱深)*1968.5(高度)mm | ||||||||