| GD212S 高精密固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms 精準模式：UPH3~8K/h 標準模式：UPH10~15K/h （實際產能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求） | ||||||||
| 固晶位置精度 | 精準模式：±10um 標準模式：±20um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 精準模式：0.2*0.2-5*5mm 標準模式：0.2*0.2-9*9mm | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L：120-300mm W：50-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1277（正面長）*1838側面縱深)*2150(高度)mm | ||||||||
| GD212S 高精密固晶機 | |||||||||
| 固晶周期 | ≥450ms 精準模式：UPH3~8K/h 標準模式：UPH10~15K/h （實際產能取決于芯片與基板尺寸及制程工藝要求） | ||||||||
| 固晶位置精度 | 精準模式：±10um 標準模式：±20um | ||||||||
| 芯片角度精度 | ±1° | ||||||||
| 芯片尺寸 | 精準模式：0.2*0.2-5*5mm 標準模式：0.2*0.2-9*9mm | ||||||||
| 適用支架尺寸 | L：120-300mm W：50-120mm | ||||||||
| 設備外型尺寸（L*W*H） | 1277（正面長）*1838側面縱深)*2150(高度)mm | ||||||||